大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于电子科技swot分析报告的问题，于是小编就整理了4个相关介绍电子科技swot分析报告的解答，让我们一起看看吧。
SWOT分析是一种常用的企业战略分析工具，用于评估一个企业的内部和外部环境。下面是大疆无人机的SWOT分析：
Strengths（优势）：
1. 大疆无人机技术领先，产品质量高，市场占有率大；
2. 大疆无人机产品线丰富，能够满足不同用户需求；
3. 大疆无人机在全球范围内拥有广泛的销售渠道和客户群体。
Weaknesses（劣势）：
1. 大疆无人机价格较高，不适合所有用户；
2. 随着市场竞争加剧，大疆无人机需要不断创新以保持竞争力；
可以当玩笑看看 S：百足之虫，死而不僵。旗下企业收购决策失误可能不会造成资金链断裂问题 W：中国区不能很好地本土化， O：新总裁的上任可能会带给中国区新的变化 T：由于决策失误加上前面的订单风波，可能会导致中国的京东，当当等网购团体进一步瓜分市场。新总裁的上任 欢迎补充。
1：确认当前的战略是什么？ 2确认企业外部环境的变化（波特五力或者PEST）。 3：根据企业资源组合情况，确认企业的关键能力和关键限制。
4：按照通用矩阵或类似的方式打分评价 把识别出的所有优势分成两组，分的时候以两个原则为基础：它们是与行业中潜在的机会有关，还是与潜在的威胁有关。用同样的办法把所有的劣势分成两组，一组与机会有关，另一组与威胁有关。5：将结果在SWOT分析图上定位 或者用SWOT 分析表，将刚才的优势和劣势按机会和威胁分别填入表格。6：战略分析 举一个科尔尼SWOT分析得出战略的例子。
成功应用SWOT 分析法的简单规则进行SWOT 分析的时候必须对公司的优势与劣势有客观的认识；进行SWOT分析的时候必须区分公司的现状与前景； 进行SWOT分析的时候必须考虑全面。 进行SWOT分析的时候必须与竞争对手进行比较，比如优于或是劣于你的竞争对手； 保持SWOT分析法的简洁化，避免复杂化与过度分析； SWOT 分析法因人而异。
一旦使用SWOT 分析法决定了关键问题，也就确定是市场营销的目标。SWOT分析法可与PEST analysis和Porter's Five-Forces analysis等工具一起使用。市场营销课程的学生之所以热衷于SWOT分析法是因为它的易学性与易用性。运用SWOT分析法的时候，要将不用的要素列入相关的表格当中去，很容易操作。
优劣势分析主要是著眼於企业自身的实力及其与竞争对手的比较，而机会和威胁分析将注意力放在外部环境的变化及对企业的可能影响上 。
在分析时，应把所有的内部因素（即优劣势）集中在一起，然後用外部的力量来对这些因素进行评估。包括分析企业的优势（Strengths）、劣势（Weaknesses）、机会（Opportunities）和威胁（Threats）。因此，SWOT分析实际上是将对企业内外部条件各方面内容进行综合和概括，进而分析组织的优劣势、面临的机会和威胁的一种方法。
答：IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结合的产物。它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。它比GTR（或BJT）更为新颖。IGBT模块的击穿电压已达到1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A，最高工作频率可达30～40kHz，以IGBT为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10kHz以上，故电动机的电流波形比较平滑，电磁噪声很小。缺点是断态时的击穿电压较低（最大约3.3kV），功耗较大，电路较复杂。
IGBT测试方法
IGBT是通过栅极驱动电压来控制的开关晶体管，广泛用于变频器中作为直流逆变成交流的电力电子元件。IGBT管的结构和工作原理与场效应晶体管（通常称为MOSFET管）相似。IGBT管的符号如图2所示。G为栅极，C为集电极，E为发射极。
万用表测试IGBT管的方法如下：
（1）确定三个电极假定管子是好的，先确定栅极G。将万用表打到R×10kΩ挡，若测量到某一极与其他两极电阻值为无穷大，而调换表笔后测得该极与其他两极电阻值为无穷大，则可判断此极为栅极（G）。再测量其余两极。若测得电阻值为无穷大，而调换表笔后测得电阻值较小，此时红表笔（实为负极）接的为集电极（C），黑表笔（实为正极）接的为发射极（E）。
（2）确定管子的好坏将万用表打到R×10kΩ挡，用黑表笔接C极，红表笔接E极，此时万用表的指针在零位，用手指同时触及一下G极和C极，万用表的指针摆向电阻值较小的方向（IGBT被触发导通），并指示在某一位置再用手指同时触及G极和E极，万用表的指针回零（IGBT被阻断），即可判断IGBT是好的。
如果不符合上述现象，则可判断IGBT是坏的。用此立法也可测试功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
IGBT的主要参数
（1）集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压，一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。
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